7月3日，迪斯科（Disco）宣布，他们针对GaN单晶切片开发了一种激光切割优化工艺KABRA，不但可以增加晶圆切片数量，还可以大幅减少切片加工时间。

(资料图片仅供参考)

金刚石线切割一直是氮化镓晶锭切割的主要方法。然而，这种线切技术有几个问题，加工时间、切割材料损失，以及切割表面不平整，需要配套研磨工艺，所以导致出片数量少，造成晶圆成本高昂，阻碍了氮化镓功率器件的普及。

迪斯科表示，自从他们发布了用于SiC晶锭切割的KABRA工艺后，他们收到了许多制造商提出的氮化镓设备要求，为此他们继续研究和开发了针对氮化镓的优化KABRA工艺，这次发布新工艺是他们开发大规模生产技术的第一步。

据介绍，相较于线切割技术，他们的KABRA工艺具有出片数更多、加工时间更短等优势。

●切割出片数量方面，以2英寸、5mm的氮化镓晶锭为例，在切割指定厚度为400微米的衬底时，KABRA工艺可切11片，相比之下出片数量增加了37.5%。

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●加工时间方面，采用传统工艺，5mm厚度的氮化镓晶锭大约耗时大约25小时，而KABRA工艺只需3小时左右，相较之下单个晶锭的切割时间可以节省88%。同时还可以节省后续的研磨时间。

用于氮化镓晶圆大规模生产的KABRA工艺流程如下：

1.在晶锭内部进行激光辐照，形成KABRA层

2.剥离衬底片

3.将衬底片精磨至指定厚度

4.为下一次激光辐照研磨晶锭顶部表面

KABRA工艺流程

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